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#1 |
数量:330 |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 8.1A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 9.6 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 16.2nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1035pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3IPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| RDS -于 | 9.6@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 20 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 典型下降时间 | 3 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 2.38(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1640 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 9.6@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 6.35(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 10 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Drain, Single |
| 外形尺寸 | 6.73 x 2.38 x 7.49mm |
| 身高 | 7.49mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最大漏源电阻 | 9.6 mΩ |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 1.1 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装类型 | IPAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 8.1 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 1035 pF V @ 12 |
| 宽度 | 2.38mm |
| RoHS指令 | Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 44 A |
| 正向跨导 - 闵 | 40 S |
| RDS（ON） | 13.6 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 35.7 W |
| 封装/外壳 | IPAK |
| 栅极电荷Qg | 8.1 nC |
| 上升时间 | 20 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 3 ns |
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